Урок физики на тему "Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников p-n типов

1. Получение p-n перехода . Во второй половине ХХ века интенсивно развивалась твердотельная электроника. Громоздкие электровакуумные лампы заменились малогабаритными полупроводниковыми устройствами. Основным элементом полупроводниковых приборов является p-n – переход , обладающий уникальными свойствами. Он представляет собой тонкий слой на границе между двумя примесными полупроводниками.

Получить p -n – переход прямым соприкосновением двух полупроводников практически невозможно. Как бы тщательно ни были очищены их поверхности, они всегда содержат много примесей и загрязнений, ухудшающих свойства полупроводников. Поэтому задача решается путем введения в один и тот же кристалл с определенным типом проводимости противоположной примеси.

Например в монокристалл четырехвалентного германия с донорной примесью, создающей в кристалле германия Ge проводимость n – типа, в вакууме при температуре около 1000°С вплавляют кусочек трехвалентного индия In. Атомы индия диффундируют в германий на некоторую глубину. В той области кристалла, куда проникают атомы индия, проводимость становится дырочной (p – типа). На границе этой области возникает p -n – переход. По мере перемещения вглубь кристалла концентрация индия постепенно уменьшается. Тот слой, где концентрация акцепторной примеси индия сравняется с концентрацией донорной примеси в монокристалле, и есть собственно p -n – переход. Такие переходы называют плавными . Резкие p-n – переходы получают путем осаждения на кристалл полупроводника, допустим n – типа, полупроводника p – типа из газовой фазы. Для этого над кристаллом пропускают при температуре 1200 о С такую газовую смесь, чтобы на кристалл осаждался полупроводник с нужным типом проводимости.

2. Равновесные состояния p-n – перехода . Предположим мысленно, что сразу же после образования p- и n- областей мы их разделили, не допустив перетекания зарядов из одной области в другую. Возникает ситуация, показанная на рис.117. Обе области электрически нейтральны, их нулевые уровни совпадают. Уровень Ферми в p –области выше примесных уровней, а в n –области – ниже. В общем случае уровни Ферми не совпадают, в n –области уровень Ферми выше.

Однако в реальности после образования p -n – слоя начинается диффузия основных носителей из одной области в другую. Для n –области основными носителями являются электроны, для p –области – дырки. Основные носители возникают почти целиком вследствие ионизации донорных и акцепторных примесей. При температурах Т ³ 250 К эти примеси ионизированы практически полностью. Поэтому концентрация электронов в n –области равна концентрации донорных атомов, а концентрация дырок в p –области – концентрации акцепторных атомов.

Концентрация неосновных носителей примерно в 10 6 раз меньше концентрации основных в обеих областях (). В результате в контактирующих областях полупроводника возникают диффузионные потоки электронов проводимости из п -области в р -область и дырок из p –области в n –область. Электроны перемещающиеся в p –область, рекомбинируют вблизи границы раздела с дырками, а дырки в n –области рекомбинируют с электронами проводимости. Поэтому в приконтактном слое n –области практически не остается свободных электронов и в нем формируется неподвижный положительный заряд ионизированных доноров .

В приконтактном слое p –области практически не остается дырок, и в нем формируется отрицательный заряд ионизированных акцепторов . Эти неподвижные электрические заряды создают в p-n – переходе контактное электрическое поле с разностью потенциалов j к и практически не выходящее за его пределы.

Эта ситуация иллюстрируется рис.118, где наверху показаны объемные заряды в контактных областях, а внизу - энергетические зоны. Поскольку p –область зарядилась отрицательным зарядом, энергия электронов в ней увеличилась. В результате энергетическая диаграмма в p –области поднимается, в n –области опускается. В p-n слое она наклонена так, что уровни Ферми в разных областях совпадают.

Если в слой объемных зарядов влетает неосновной носитель (электрон из p –области или дырка из n –области), то контактное поле подхватывает его и перебрасывает через этот слой. В результате каждый неосновной носитель, налетающий на p-n – переход, проходит через него.

Наоборот, основные носители тока (электрон из n –области или дырка из p –области) могут перелетать через слой объемных зарядов лишь в том случае, если кинетическая энергия их движения вдоль оси Х достаточна для преодоления контактной разности потенциалов, то есть если она больше |ej к |. Поэтому, как только образуются объемные заряды у границы областей, поток основных носителей, пересекающих эту границу, уменьшается. Когда поток основных носителей сравняется с потоком неосновных носителей, устанавливается динамическое равновесие.

3. Прямое включение p-n – перехода в электрическую цепь . Подключим к p-n – переходу источник тока, присоединив к p –области «плюс», а n –области – «минус» (рис.119 вверху). Полагаем, что источник тока способен создавать на омических шинах напряжение j 0 . Дополнительное электрическое поле, создаваемое источником тока, вызывает приток основных носителей в область объемного заряда p-n – перехода. В p –области в направлении от омической шины к p-n – переходу движутся дырки. Они рекомбинируют с электронами отрицательных ионов акцепторной примеси. В n –области в направлении к p-n – переходу движутся электроны проводимости, которые рекомбинируют с положительными ионами донорной примеси.

В результате объемный заряд на p-n – переходе уменьшается по сравнению с равновесным состоянием. Становится меньше и высота потенциального барьера. Этот процесс продолжается до тех пор, пока контактная разность потенциалов на p-n – переходе не уменьшится до значения j к – j 0 .

На рис.119 внизу данная ситуация показана на энергетической зонной диаграмме. Штриховые линии соответствуют равновесному состоянию p-n – перехода.

Электроны в зоне проводимости полупроводника ведут себя как тяжелые предметы, скользящие по дну зоны проводимости. Уменьшение высоты потенциального барьера резко увеличивает долю тех электронов в n –области, кинетическая энергия которых в направлении движения к потенциальному барьеру достаточна для преодоления этого барьера.

Дырки в валентной зоне ведут себя как пузырьки воздуха подо льдом. Чем меньше высота барьера, тем большая доля дырок способна «поднырнуть» под него (на рис.119 внизу слева направо). В результате с уменьшением высоты потенциального барьера резко увеличивается диффузионный поток через p-n – переход электронов проводимости из n –области и дырок из p –области. Ток основных носителей i осн подскакивает по сравнению с равновесным на несколько порядков.

4. Обратное включение p-n – перехода показано на рис.120 вверху. «Плюс» источника тока присоединяется к омической шине n –области, а «минус» присоединяется к омической шине p –области. Возникающий в электрическом поле источника тока дрейф основных носителей направлен от p-n – перехода к омическим шинам. При этом обнажаются новые слои ионизированных доноров и акцепторов, увеличивая тем самым область объемного связанного заряда.

Протекание электронов и дырок к омическим контактам происходит до тех пор, пока они практически полностью не скомпенсируют заряды, созданные внешним источником ЭДС. После этого все приложенное напряжение j 0 падает на p-n – переходе, сопротивление которого на много порядков больше сопротивления p- и n- областей. Потенциальный барьер p-n – перехода возрастает практически до величины e (j к + j 0). Это резко снижает ток основных носителей i осн, делая его меньше равновесного. Ток неосновных носителей i неосн зависит лишь от их концентрации и потому меняется незначительно (рис.120 внизу).

Итак, p-n – переход можно рассматривать как нелинейный проводник , сопротивление которого зависит лишь от знака приложенного напряжения. Односторонняя проводимость p-n – перехода используется не только в полупроводниковых диодах . Свойства p-n – переходов оказались настолько плодотворными, что позволили создать на их основе серию электронных полупроводниковых приборов , в число которых помимо диодов входят транзисторы , тиристоры и др. Во второй половине XX века происходит быстрый переход от ламповой к твердотельной электронике.

5. Полупроводниковые диоды – нелинейные проводники. Их два электрода называют анод (+) и катод (- ). Диоды имеют резко несимметричную вольтамперную характеристику (рис.121). Это позволяет использовать их для выпрямления переменных токов.

Если к первичной обмотке трансформатора приложено переменное синусоидальное напряжение, то во вторичной обмотке, замкнутой на омический резистор R , протекает синусоидальный переменный ток той же частоты, , где j 0 – сдвиг по фазе (рис.122-а). Если в разрыв вторичной цепи включить полупроводниковый диод, то через резистор R в течение одной половины периода будет протекать пульсирующий однонаправленный ток. Получается схема однополупериодного выпрямителя (рис.122-б).

Для двухполупериодного выпрямления нужно как минимум два диода и вывод средней точки вторичной обмотки трансформатора (рис.122-в). Соединив четыре диода по схеме выпрямительного моста , можно обойтись без средней точки (рис.122-г).

6. Транзисторы . С помощью p-n – переходов можно не только выпрямлять, но и усиливать электрические токи. Для этой цели служат транзисторы – полупроводниковые устройства, имеющие три электрода (эмиттер, коллектор, база ). Рассмотрим принцип действия транзистора на примере его включения по схеме с общей базой (рис.123).

Левый на рисунке p-n – переход 1 работает в прямом направлении. Правый p-n – переход 2 работает в запорном направлении. Расстояние в транзисторе между переходами 1 и 2 (ширина базы) не превышает нескольких десятков мкм. Ток в цепи база-коллектор определяется неосновными носителями и сильно зависит от концентрации этих носителей. В n –области неосновными носителями являются дырки.

Если в цепи эмиттер-база идет ток, то дырки из p –области, где они являются основными носителями, в большом количестве движутся через переход 1 в область базы. В результате концентрация дырок в n –области базы резко возрастает. Говорят, происходит инжекция дырок. Т.к. ширина базы очень мала, то диффундирующие через переход 1 дырки в большом количестве доходят до перехода 2. Концентрация неосновных носителей в n –области возле перехода 2 существенно увеличивается, поэтому и увеличивается ток в цепи коллектора.

Напряжение U 2 в цепи коллектора много больше напряжения U 1 в цепи эмиттера U 2 >>U 1 . Поэтому выделяющаяся на сопротивлении R мощность оказывается больше мощности, расходуемой в цепи эмиттера. Усиление по мощности в современных транзисторах колеблется от нескольких десятков до десятков тысяч раз.

7. Термоэлектрические эффекты Зеебека и Пельтье выражены в полупроводниках много сильнее чем в металлах (см. §14). Особенно, если контакты образуют полупроводники с разным типом проводимости. Дифференциальная термо-ЭДС в полупроводниках примерно в 1000 раз больше, чем в металлах. Это позволяет создавать полупроводниковые термоэлектрические генераторы и холодильники.

Теорию термоэлектрогенераторов разработал в начале 40-х годов XX века Абрам Иоффе. Первые термогенераторы в СССР были построены в начале Великой Отечественной войны и использовались для питания радиостанций в партизанских отрядах. В середине 70-х годов появились термогенераторы мощностью 150–200 Вт для питания аппаратуры метеорологических станций и космических аппаратов. Источником энергии в них был радиоактивный изотоп церия 144 Се.

Максимальный КПД термоэлектрогенераторов, достигнутый к настоящему времени, составляет 15% и вряд ли превысит 20%. Полупроводниковые термоэлектрогенераторы дороги, поэтому промышленное получение на их основе электрической энергии в ближайшем будущем маловероятно, если не будут созданы дешёвые материалы, сочетающие высокую электропроводность с низкой теплопроводностью.

Полупроводниковые холодильники, построенные на основе эффекта Пельтье, используются чаще всего для охлаждения элементов радиоэлектронных цепей.

8. Фотогальванический эффект . При освещении p-n – перехода и прилегающих к нему областей светом, способным вызвать генерацию электронно-дырочных пар, через p-n – переход возникает ток зарядов, изменяющий его состояние по сравнению с равновесным.

Допустим, на p –область падает свет, как показано на рис.124 вверху. Чтобы фотоны поглощались вблизи p-n – перехода , толщина р –области должна быть малой и не превышать 1–2 мкм. Если энергия фотонов hn больше ширины запрещенной зоны, hn ³ E g , то при поглощении фотона электроном в валентной зоне любой области электрон переходит в зону проводимости. (Полагаем, что акцепторные и донорные примесные уровни в p- и n- областях уже полностью ионизированы). Появляется пара носителей – электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне.

Увеличение числа основных носителей (дырки в p –области и электроны в n –области) по существу ничего не меняет, поскольку их относительный прирост мал. А увеличение числа неосновных носителей (дырки в n –областии электроны в p –области) очень существенно. Поскольку ток через p-n – переход неосновных носителей зависит лишь от их концентрации, то при освещении p-n – перехода светом возникает фотогальванический эффект – появление тока неосновных носителей, приблизительно пропорционального световому потоку Ф.

Неосновные носители захватываются контактным полем и уходят из p- и n- областей. Основные носители остаются. В результате по разные стороны p-n – перехода постепенно накапливаются заряды свободных носителей – дырок в p – области и электронов в n – области, p – область заряжается положительно, n – область – отрицательно.

Поле этих свободных зарядов противоположно контактному полю и ослабляет его. Связанный в области p-n – перехода заряд ионизированной примеси уменьшается, высота потенциального барьера становится меньше (рис.124 внизу). В результате диффузия основных носителей растет. Постепенно устанавливается такое динамическое равновесие, когда при данном световом потоке Ф пропорциональный ему ток неосновных носителей i неосн станет равным противоположному току основных носителей, i неосн = i осн. Высота потенциального барьера принимает значение e (j к + j ф), где j Ф – фото-ЭДС p-n – перехода .

Фотогальванический эффект может использоваться в режиме фотоэлемента или в режиме фотодиода .

а. Фотоэлемент . Для использования p-n – перехода в режиме фотоэлемента (в вентильном режиме ) достаточно соединить p- и n –области омической перемычкой с нагрузочным сопротивлением R . При освещении фотоэлемента по сопротивлению R потечет фототок свободных электрических зарядов. Поэтому в режиме фотоэлемента p-n – переход позволяет напрямую превращать энергию света в электрическую. Схема устройства фотоэлемента показана на рис.125. На тонкую p –область (»1 мкм) напыляется еще более тонкий металлический слой из серебра или золота, играющий роль омической шины. Чтобы эта металлическая пленка достаточно хорошо пропускала свет, ее толщина должна быть много меньше длины волны света l . Обычно это несколько десятков атомных слоев.

Второй омической шиной является металлическая пластина, играющая одновременно роль механической несущей основы всей конструкции фотоэлемента. Из отдельных фотоэлементов собирают солнечные батареи , использующиеся для питания космической аппаратуры и в наземных энергетических установках.

В настоящее время солнечные батареи делают в основном из кремния Si и арсенида галлия GaAs. Достигнутый КПД h » 20% близок к теоретически возможному.

б. Фотодиод . Чтобы использовать p-n – переход в режиме фотодиода, на него подается напряжение j 0 от источника тока в запорном направлении (рис.126 слева). Если фотодиод не освещен, то по нему протекает очень малый темновой ток неосновных носителей. Напряжение U на резисторе R практически равно нулю. Когда на фотодиод направляется световой поток Ф, концентрация неосновных носителей и их ток возрастает пропорционально потоку Ф. На резисторе R возникает напряжение U (рис.126 справа), которое можно использовать как сигнал в цепях связи или управления.

9. Светодиод . При пропускании прямого тока концентрация неосновных носителей в области p-n – перехода повышается. К инжектированным неосновным носителям подтягиваются основные носители. В результате в области p-n – перехода развивается процесс рекомбинации избыточных над равновесным состоянием носителей.

Если часть актов рекомбинации происходит с излучением света и если этот свет может выйти наружу, то получается светоизлучающий диод – светодиод .

Эти два условия при конструировании светодиодов являются определяющими. Первая задача - увеличение роли светоизлучающих актов рекомбинации – решается путем уменьшения доли безизлучательных переходов. Для этого полупроводник должен быть до высокой степени очищен от безизлучательных примесных центров, что является довольно трудным делом. Второе условие - выход излучения наружу также представляет собой сложную задачу. Дело в том, что показатель преломления света у полупроводников велик, у арсенида галлия, например, n =3,45. Поэтому угол полного внутреннего отраженияу полупроводников очень мал, . Лишь »2% испускаемого излучения падает на плоскую поверхность полупроводника под углами, меньшими b пред, испытав лишь частичное отражение от границы раздела проводник-воздух.

Средняя мощность излучения светодиодов в непрерывном режиме составляет 3¸5 мВт. Увеличить ее за счет повышения прямого тока не удается из-за нагрева p-n – перехода, резко снижающего внутреннюю эффективность.

Светодиоды широко применяются в современной электронике. В сочетании с фотоприемниками они образуют оптронные пары , используемые для развязки и усиления сигналов в оптронных логических элементах. Быстродействие светодиодов достигает »10 -9 с. Используются светодиоды и в качестве малогабаритных световых индикаторов. Выбирая полупроводники с различной шириной запрещенной зоны, удается делать светодиоды с различными цветами свечения.

10. Полупроводниковые лазеры . Наиболее широко применяются сейчас полупроводниковые инжекторные лазеры на арсениде галлия GaAs. Инверсия населенности уровней в них достигается инжекцией основных носителей через p-n – переход.

На рис.127-а показан равновесный p-n – переход между двумя вырожденными областями полупроводника. Вырожденными называются области с совпадающими энергетическими уровнями. В результате одному значению энергии могут соответствовать два и более электронов. Уровень Ферми Е Ф в p –области находится ниже потолка валентной зоны Е в, а в n –области – выше дна зоны проводимости Е п. В результате потолок валентной зоны до отказа заполнен дырками в p –области, а дно зоны проводимости в n –области – электронами (рис.127-в).

Если к такому p-n – переходу приложить прямое напряжение j (к p – области «плюс», к n – области «минус»), резко снижающее потенциальный барьер, то в нем появляется область А с инверсным заполнением зон (рис.127-б). Над насыщенным дырками потолком валентной зоны располагается до отказа заполненное электронами дно зоны проводимости. Спонтанная излучательная рекомбинация электронно-дырочных пар вызывает в этих условиях индуцированное излучение .

Схема устройства полупроводникового лазера показана на рис.128 слева. Монокристалл с p-n – переходом имеет форму пирамиды. Две противоположные ее грани делают строго параллельными друг другу и перпендикулярными плоскости p-n – перехода. Эти грани выполняют роль оптического резонатора, заставляющего стимулированное излучение, возникающее в плоскости p-n – перехода, проходить через него многократно. Две другие грани остаются грубо обработанными и непрозрачными для света.

Коэффициент отражения света от граней кристалла при n = 3,45 составляет от 30 до 35% при углах падения, близких к нормальному. Кроме того, световая волна, распространяясь вдоль p-n – перехода, поглощается пассивными областями диода. Поэтому для возникновения генерации надо создать такую инверсию заселенности зон, которая бы перекрывала все потери света.

Ток I пор, при котором выполняется это условие и возникает генерация, называют пороговым . До порогового тока лазер работает как обычный светодиод. Он испускает спонтанное излучение с равномерной плотностью по всем направлениям. Поэтому из светодиода выходит около 2% света, возникающего в результате излучательной рекомбинации.

При переходе к режиму генерации почти все излучения концентрируются в плоскости p-n – перехода, распространяясь перпендикулярно оптическим окнам кристалла. Отношение вероятности излучательной рекомбинации к вероятности безизлучательной увеличивается. В результате при I > I пор происходит резкий рост светового потока Ф (рис.128 справа).

Важным недостатком полупроводниковых лазеров является сильная зависимость их параметров от температуры. Из-за значительного прямого тока светодиод разогревается, ширина запрещенной зоны, как правило, уменьшается, поэтому максимум излучения смещается в сторону длинных волн. Это ухудшает условия оптического резонанса.

Более того, с ростом температуры быстро растет пороговый ток I пор, так как при неизменном токе инжекции распределение носителей тока по энергиям с ростом температуры становится более размытым. Заполнение электронами и дырками энергетических состояний становится более рыхлыми. В результате мощность излучения с ростом температуры лазера падает. Поэтому проблема отвода тепла от p-n – перехода для полупроводниковых лазеров имеет первостепенное значение.

11. Микроэлектроника. Развитие технологии полупроводниковых приборов – диодов, транзисторов и др. – шло не только в направлении улучшения их функциональных характеристик, но и в направлении уменьшения их размеров. На одном кристалле удавалось разместить вначале десятки, а затем сотни и тысячи полупроводниковых устройств. Одновременно развивалась технология формирования в таких блоках и классических элементов – конденсаторов, резисторов, катушек индуктивности. В результате в конце 60-х годов ХХ в. появляется микроэлектроника.

Основная практическая продукция микроэлектроники – интегральные схемы (ИС), которые служат элементами ЭВМ, средств автоматизации управления и связи. Все приборы и линии связи между ними формируются в едином технологическом процессе на общей подложке. Для обобщенной характеристики интегральных схем используются три величины. Степень интеграции N равна числу элементов в микросхеме. При N < 10 схема называется малой интегральной схемой (МИС), при 10 ≤ N < 100 – средней (СИС), при 100 ≤ N < 1000 – большой (БИС) и при N > 1000 – сверхбольшой (СБИС). Степень интеграции N постоянно растет и в настоящее время приближается к 10 8 . Вторая величина - средние линейные размеры элементов микросхем - в настоящее время составляет величину порядка 0,1 мкм и имеет тенденцию к дальнейшему уменьшению. Третья величина - рабочие частоты импульсных схем. Они составляют несколько миллиардов герц.

Разрабатывают и изготовляют интегральные схемы ЭВТ с помощью ЭВМ. В целом, технология производства современных интегральных схем достаточно сложная и дорогая, требующая высокой культуры производства. При изготовлении ИС используют 3 технологии. В полупроводниковой делают активные элементы (p-n- переходы) в объёме монокристалла. В плёночной делают пассивные элементы – резисторы, конденсаторы, напыляя на подложку в вакууме слои металла (Cr) и диэлектрика (SiO 2). В гибридной сочетаются полупроводниковая и пленочная технологии.

глава 3. Физика атомного ядра

Назад Вперёд

Внимание! Предварительный просмотр слайдов используется исключительно в ознакомительных целях и может не давать представления о всех возможностях презентации. Если вас заинтересовала данная работа, пожалуйста, загрузите полную версию.

Урок в 10-м классе.

Тема: р- и n - типов. Полупроводниковый диод. Транзисторы».

Цели:

• образовательные : сформировать представление о свободных носителях электрического заряда в полупроводниках при наличии примесей с точки зрения электронной теории и опираясь на эти знания выяснить физическую сущность p-n-перехода; научить учащихся объяснять работу полупроводниковых приборов, опираясь на знания о физической сущности p-n-перехода;
• развивающие : развивать физическое мышление учащихся, умение самостоятельно формулировать выводы, расширять познавательный интерес, по­знавательную активность;
• воспитательные : продолжить формирование научного мировоззрения школьников.

Оборудование: презентация по теме: «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников р- и n - типов. Полупроводниковый диод. Транзистор», мультимедийный проектор.

Ход урока

I. Организационный момент.

II. Изучение нового материала.

Слайд 1.

Слайд 2. Полупроводник – вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит, что электрическая проводимость (1/R) увеличивается.

Наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений.

Слайд 3.

Механизм проводимости у полупроводников

Слайд 4.

Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние Слайд 5. электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями.

При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и они ведут себя как диэлектрики.

Полупроводники чистые (без примесей)

Если полупроводник чистый(без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика.

Собственная проводимость бывает двух видов:

Слайд 6. 1) электронная (проводимость "n " – типа)

При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны – сопротивление уменьшается.

Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности электрического поля.

Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.

Слайд 7.

2) дырочная (проводимость " p" – типа)

При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном – "дырка".

Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда.

Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.

Кроме нагревания, разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением (фотопроводимость) и действием сильных электрических полей. Поэтому полупроводники обладают ещё и дырочной проводимостью.

Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей "p" и "n" -типов и называется электронно-дырочной проводимостью.

Полупроводники при наличии примесей

У таких полупроводников существует собственная + примесная проводимость.

Наличие примесей проводимость сильно увеличивает.

При изменении концентрации примесей изменяется число носителей электрического тока – электронов и дырок.

Возможность управления током лежит в основе широкого применения полупроводников.

Существуют:

Слайд 8. 1) донорные примеси (отдающие) – являются дополнительными поставщиками электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число свободных электронов в полупроводнике.

Слайд 9. Это проводники " n " – типа , т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда – электроны, а неосновной – дырки.

Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью. Например – мышьяк.

Слайд 10. 2) акцепторные примеси (принимающие) – создают "дырки" , забирая в себя электроны.

Это полупроводники " p "- типа , т.е. полупроводники с акцепторными примесями, где основной носитель заряда – дырки, а неосновной – электроны.

Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью . Слайд 11. Например – индий. Слайд 12.

Рассмотрим, какие физические процессы происходят при контакте двух полупроводников с различным типом проводимости, или, как говорят, в р-n-переходе.

Слайд 13-16.

Электрические свойства "p-n" перехода

"p-n" переход (или электронно-дырочный переход) – область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот).

В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области. В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой. Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.

Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя.

При прямом (пропускном) направлении внешнего электрического поля электрический ток проходит через границу двух полупроводников.

Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.

Пропускной режим р-n перехода:

При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет.

Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.

Запирающий режим р-n перехода :

Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.

Полупроводниковые диоды

Полупроводник с одним "p-n" переходом называется полупроводниковым диодом.

– Ребята, запишите новую тему: «Полупроводниковый диод».
– Какой там ещё идиот?», – с улыбкой переспросил Васечкин.
– Не идиот, а диод! – ответил учитель, – Диод, значит имеющий два электрода, анод и катод. Вам ясно?
– А у Достоевского есть такое произведение – «Идиот», – настаивал Васечкин.
– Да, есть, ну и что? Вы на уроке физики, а не литературы! Прошу больше не путать диод с идиотом!

Слайд 17–21.

При наложении эл.поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико, в обратном – сопротивление мало.

Полупроводниковые диоды основные элементы выпрямителей переменного тока.

Слайд 22–25.

Транзисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Полупроводниковые транзисторы – также используются свойства" р-n "переходов, - транзисторы используются в схемотехнике радиоэлектронных приборов.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как – то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем. Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer – преобразователь и resistor – сопротивление. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р – n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя – электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p – n – р. У транзистора структуры n – p – n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними – область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).

При подаче на базу транзистора типа n-p-n положительного напряжения он открывается, т. е. сопротивление между эмиттером и коллектором уменьшается, а при подаче отрицательного, наоборот – закрывается и чем сильнее сила тока, тем сильнее он открывается или закрывается. Для транзисторов структуры p-n-p все наоборот.

Основой биполярного транзистора (рис. 1) служит небольшая пластинка германия или кремния, обладающая электронной или дырочной электропроводимостью, то есть n-типа или p-типа. На поверхности обеих сторон пластинки наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходи диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n (рис. 1,а), а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа - транзистор структуры p-n-p (рис. 1,б).

Независимо от структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема - эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема - коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором - коллекторный, а между базой и эмиттером - эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.

Условные графические обозначения транзисторов разных структур отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер и направление тока через эмиттерный переход, у транзистора структуры p-n-p обращена к базе, а у транзистора n-p-n - от базы.

Слайд 26–29.

III. Первичное закрепление.

1. Какие вещества называются полупроводниками?
2. Какую проводимость называют электронной?
3. Какая проводимость наблюдается ещё у полупроводников?
4. О каких примесях теперь вам известно?
5. В чем заключается пропускной режим p-n- перехода.
6. В чем заключается запирающий режим p-n- перехода.
7. Какие полупроводниковые приборы вам известны?
8. Где и для чего используют полупроводниковые приборы?

IV. Закрепление изученного

1. Как меняется удельное сопротивление полупроводников: при нагревании? При освещении?
2. Будет ли кремний сверхпроводящим, если его охладить до температуры, близкой к абсолютному нулю? (нет, с понижением температуры сопротивление кремния увеличивается).

26.01.2015

Урок № 37 (9 класс)

Тема: Термисторы

Электрический ток через контакт полупроводников р- и п-типов

( p-n переход)

Особое значение в технике имеет приведение в контакт полупроводников различных проводимостей. Что же произойдет при таком контакте? Вследствие диффузии зарядов начнется проникновение электронов в p-полупроводник, а дырок – в n-полупроводник. В результате чего на границе образуется так называемый запирающий слой, который своим электрическим полем препятствует дальнейшему обмену зарядами (рис. 6).

Рис. 1. Запирающий слой при p-n переходе

Для построения вольт-амперной характеристики n-p перехода была собрана следующая схема (см. рис. 2), благодаря которой можно как менять полярность, так и величину напряжения, подаваемого на p-n переход.

Рис.2. Схема для получения характеристики и сама вольт-амперная характеристика p-n перехода соответственно.

На рисунке 16.10 изображена схема полупроводника, правая часть которого содержит донорные примеси и поэтому является полупроводником n -типа, а левая - акцепторные примеси и представляет собой полупроводник р -типа; между ними - зона перехода - зона, обедненная зарядами. В ней происходит рекомбинация электронов и дырок. Электроны изображены голубыми кружочками, дырки - серыми. Контакт двух полупроводников называют р-n - или n-р -переходом.

При образовании контакта электроны частично переходят из полупроводника n -типа в полупроводник р -типа, а дырки - в обратном направлении. В результате полупроводник n -типа заряжается положительно, ар -типа - отрицательно. Диффузия прекращается после того, как электрическое поле, возникающее в зоне перехода, начинает препятствовать дальнейшему перемещению электронов и дырок.
Включим полупроводник с р-n -переходом в электрическую цепь (рис.16.11 ). Подключим сначала батарею так, чтобы потенциал полупроводника р -типа был положительным, а n -типа - отрицательным. При этом ток через р-n -переход создается основными носителями: из области n в область р - электронами, а из области р в область n - дырками (рис.16.12 ).

Вследствие этого проводимость всего образца велика, а сопротивление мало.
Рассмотренный здесь переход и называют прямым . Зависимость силы тока от разности потенциалов - вольт-амперная характеристика прямого перехода - изображена на рисунке 16.13 сплошной линией.

Изменим теперь полярность подключения батареи. Тогда при той же разности потенциалов сила тока в цепи окажется значительно меньше, чем при прямом переходе. Это обусловлено следующим. Электроны через контакт идут теперь из области р в область n , а дырки - из области n в область р . Но ведь в полупроводнике р -типа мало свободных электронов, а в полупроводнике n -типа мало дырок. Теперь переход через контакт осуществляется неосновными носителями, число которых мало (рис.16.14 ). Вследствие этого проводимость образца оказывается незначительной, а сопротивление - большим. Образуется так называемый запирающий слой. Такой переход называют обратным . Вольт-амперная характеристика обратного перехода изображена на рисунке 16.13 штриховой линией.

Таким образом, р-n -переход можно использовать для выпрямления электрического тока. Такое устройство называется полупроводниковым диодом.
Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других веществ.
Рассмотрим, как создают р-n -переход, используя германий, обладающий проводимостью n -типа, с небольшой добавкой донорной примеси. Этот переход не удается получить путем механического соединения двух полупроводников с различными типами проводимости, так как при этом получается слишком большой зазор между полупроводниками. Толщина же р-n -перехода должна быть не больше межатомных расстояний, поэтому в одну из поверхностей образца вплавляют индий. Для создания полупроводникового диода полупроводник с примесью р -типа, содержащий атомы индия, нагревается до высокой температуры. Пары примеси n -типа (например, мышьяка) осаждают на поверхность кристалла. Вследствие диффузии они внедряются в кристалл, и на поверхности кристалла с проводимостью р -типа образуется область с электронным типом проводимости (рис.16.15 ).

Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия помещают в герметичный металлический корпус.

Схематическое изображение диода приведено на рисунке 16.16. Полупроводниковые выпрямители обладают высокой надежностью и имеют большой срок службы. Однако они могут работать лишь в ограниченном интервале температур (от -70 до 125°С).

p-n -переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше, чем в обратном.
Свойства р-n -перехода используют для выпрямления переменного тока. На протяжении половины периода изменения тока через переход, когда потенциал полупроводника р- типа положителен, ток свободно проходит через р-n -переход. В следующую половину периода ток практически равен нулю.

2. Полупроводниковые приборы

Малые размеры и очень большое качество пропускаемых сигналов сделали полупроводниковые приборы очень распространенными в современной электронной технике. В состав таких приборов может входить не только вышеупомянутый кремний с примесями, но и, например, германий. Одним из таких приборов является диод – прибор, способный пропускать ток в одном направлении и препятствовать его прохождению в другом. Он получается вживлением в полупроводниковый кристалл p- или n-типа полупроводника другого типа (рис. 11).

Рис. 3. Обозначение диода на схеме и схема его устройства соответственно

Другим прибором, теперь уже с двумя p-n переходами, называется транзистор. Он служит не только для выбора направления пропускания тока, но и для его преобразования.

Следует отметить, что в современных микросхемах используется множество комбинаций диодов, транзисторов и других электрических приборов.

Рис. 12. Схема строения транзистора и его обозначение на электрической схеме соответственно

Транзистор - хитроумный прибор. Понять принципы работы транзистора нелегко, но ведь его сумели изобрести! Надеемся, что вы сможете понять, как он работает, даже по краткому описанию.
Рассмотрим один из видов транзисторов из германия или кремния с введенными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (толщиной порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника n -типа между двумя слоями полупроводника р -типа (рис.16.17 ). Эту тонкую прослойку называют основанием , или базой .

В кристалле образуются два р-n -перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 16.17. В данной схеме левый р-n -переход является прямым и отделяет базу от области с проводимостью р -типа, называемую эмиттером . Если бы не было правого р-n -перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напряжения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого перехода эмиттер - база.
Батарея Б2 включена так, что правый р-n -переход в схеме (см. рис. 16.17) является обратным . Он отделяет базу от правой области с проводимостью р -типа, называемой коллектором. Если бы не было левого р-n-перехода, сила тока в цепи коллектора была бы близка к нулю, так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом р-n -переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.
Это объясняется следующим. При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника р -типа (дырки) проникают в базу, где они являются уже неосновными носителями . Поскольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают в коллектор за счет диффузии. Правый р-n-переход закрыт для основных носителей заряда базы - электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см. рис. 16.17) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости.
Сила тока в коллекторе, почти равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током через эмиттер. Сопротивление резистора R мало влияет на ток в коллекторе, и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе R .
При большом сопротивлении резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение напряжения сигнала в цепи эмиттера. Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке R можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.
Применение транзисторов . Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов. Компьютеры, составленные из микросхем и микропроцессоров, фактически изменили окружающий человека мир. В настоящее время не существует ни одной области человеческой деятельности, где компьютеры не служили бы активными помощниками человека. Например, в космических исследованиях или высокотехнологичных производствах работают микропроцессоры, уровень организации которых соответствует искусственному интеллекту.
Транзисторы (рис.16.18, 16.19) получили чрезвычайно широкое распространение в современной технике. Они заменяют электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Портативные радиоприемники, использующие такие приборы, в обиходе называются транзисторами. Преимуществом транзисторов (так же как и полупроводниковых диодов) по сравнению с электронными лампами является прежде всего отсутствие накаленного катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, эти приборы в десятки и сотни раз меньше по размерам и массе, чем электронные лампы. Работают они при более низких напряжениях.

Наиболее интересные явления происходят при контакте полупроводников n- и р-типов. Эти явления используются в большинстве полупроводниковых приборов. В них происходит рекомбинация электронов и дырок. При образовании контакта электроны частично переходят из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа, а дырки - в обратном направлении. В результате полупроводник n-типа заряжается положительно, а р-типа - отрицательно. Диффузия прекращается после того, как электрическое поле, возникающее в зоне перехода, начинает препятствовать дальнейшему перемещению электронов и дырок.

Полупроводниковые диоды

Основой полупроводникового диода является р-n-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные, импульсные, высокочастотные и сверхвысокочастотные, стабилитроны, трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото- и светодиоды. В зависимости от исходного полупроводникового материала диоды подразделяются на германиевые и кремниевые. Германиевые диоды работают при температурах не выше +80 °С, а кремниевые до +140 °С.По конструктивно-технологическому признаку диоды делятся на плоскостные и точечные. Наиболее распространены плоскостные сплавные диоды, применение которых затруднительно лишь на повышенных частотах. Преимуществом точечных диодов является низкое значение емкости p-n-перехода, дающая возможность их работы на высоких сверхвысоких частотах. Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот, а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов. Высокочастотные диоды содержат, как правило, точечный р-n-переход и поэтому называются точечными. Импульсные диоды являются разновидностью высокочастотных диодов и предназначены для использования в качестве ключевых элементов в быстродействующих импульсных схемах. Стабилитроны – это кремниевые плоскостные диоды, предназначенные для стабилизации уровня постоянного напряжения в схеме при изменении в некоторых пределах тока через диод. Варикапом называется специально сконструированный полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. Фотодиод – полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, отображающим процесс преобразования световой энергии в электрическую. Светодиоды (электролюминесцентные диоды) преобразуют энергию электрического поля в нетепловое оптическое излучение, называемое электролюминесценцией. Туннельный диод – это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении.

ЦЕПНАЯ ЯДЕРНАЯ РЕАКЦИЯ.

Это процесс, в котором одна проведенная реакция вызывает последующие реакции такого же типа. При делении одного ядра урана образовавшиеся нейтроны могут вызвать деления других ядер урана, при этом число нейтронов нарастает лавинообразно.
Цепная реакция сопровождается выделением большого количества энергии. Для осуществления цепной реакции не получается использовать любые ядра, делящиеся под влиянием нейтронов. Используемый в качестве топлива для атомных реакторов химический элемент уран состоит в природе из двух изотопов: урана-235 и урана - 238.
В природе изотопы урана-235 составляют всего лишь 0,7% от всего запаса урана, однако именно они пригодны для проведения цепной реакции, т.к. делятся под влиянием медленных нейтронов. Первая управляемая цепная реакция - США в 1942 г. (Э.Ферми)
В СССР - 1946 г. (И.В.Курчатов).

ЯДЕРНЫЙ РЕАКТОР - это устройство на атомной электростанции для получения атомной энергии.
Назначение ядерного реактора: преобразование внутренней энергии атомного ядра в электрическую энергию.
В ядерном реакторе осуществляется управляемая цепная реакция деления ядер. Ядерными реакторами оснащены все АЭС (атомные электростанции).
Работа реактора:

Реактор работает на медленных нейтронах. Активная зона реактора, содержит ядерное топливо - урановые стержни и замедлитель - воду. Вода вокруг урановых стержней является не только замедлителем нейтронов, но и служит для отвода тепла, т.к. внутренняя энергия разлетающихся осколков переходит во внутреннюю энергию окружающей среды - воды. Активная зона окружена отражателем для возвращения нейтронов и защитным слоем бетона.
Достижение критической массы топлива осуществляется введением регулирующих стержней (до достижения массы урана = критической массе).
Активная зона посредством труб соединена в кольцо (1-ый контур).
Вода прокачивается по трубам контура насосом и отдает свою энергию змеевику в теплообменнике, нагревая воду в змеевике (во 2-м контуре).
Вода в змеевике превращается в пар, температура которого может достигать 540 градусов.
Пар вращает турбину, энергия пара превращается в механическую энергию.
Ось турбины вращает ротор электрогенератора, превращая механическую энергию в электрическую.
Отработанный (охлажденный) пар поступает в конденсатор, где превращается в воду, возвращающуюся в 1-ый контур.Первая АЭС была построена в г. Обнинске (СССР).
Преимущества АЭС: ядерные реакторы не потребляют кислород и органическое топливо. Не загрязняют окружающую среду золой и вредными для человека продуктами органического топлива. Биосфера надежно защищена от радиоактивного воздействия при нормальном режиме эксплуатации АЭС.
Недостатки АЭС: необходимость захоронения радиоактивных отходов и демонтаж отслуживших свой срок реакторов. Опасность радиоактивного заражения местности при аварийных выбросах. Опасность экологических катастроф (1986 г. - Чернобыльская АЭС).

Билет 19

1.ТРАНЗИСТОР , полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не превышают 0,025 мм. В связи с тем что транзисторы очень легко приспосабливать к различным условиям применения, они почти полностью заменили электронные лампы. Одно из первых промышленных применений транзистор нашел на телефонных коммутационных станциях. Первым же товаром широкого потребления на транзисторах были слуховые аппараты, появившиеся в продаже в 1952. Сегодня транзисторы и многотранзисторные интегральные схемы используются во всём от радиоприемников до систем наземного и воздушного наблюдения в ракетных войсках. Перечень видов применения транзисторов почти бесконечен и продолжает увеличиваться. В 1954 было произведено немногим более 1 млн. транзисторов. Сейчас эту цифру невозможно даже указать. Первоначально транзисторы стоили очень дорого. Сегодня транзисторные устройства для обработки сигнала можно купить за несколько центов.

Термистор - полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого существенно зависит от температуры. Для термистора характерны большой температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (в десятки раз превышающий этот коэффициент у металлов), простота устройства, способность работать в различных климатических условиях при значительных механических нагрузках, стабильность характеристик во времени. Термистор был изобретён Самюэлем Рубеном (Samuel Ruben) в 1930 году и имеет патент

ФОТОРЕЗИСТОР

Полупроводниковый резистор, изменяющий своё электричества. сопротивление под действием внеш. эл.-магн. излучения. Относятся к фотоэлектричества приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках. Для расширения функцией, возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами, предварит. усилителями, термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. Основные параметры фоторезистора: темновое сопротивление (10 1 -10 14 Ом); спектральный диапазон чувствительности (0,5-120 мкм); постоянная времени (10 -2 - 10 -9 с); вольтовая чувствительность (10 3 -10 6 В/Вт); обнаружительная способность (10 8 -10 16 см Гц 1/2 Вт -1); температурный коэф. чувствительности (0,1-5%/К); рабочее напряжение (0,1 -100 В).

Термоядерные реакции

В 1939 г. известный американский физик Бете дал количественную теорию ядерных источников звёздной энергии. Как известно, звёзды по большей части состоят из водорода, (правда есть и исключения) поэтому вероятность столкновения двух протонов очень велика. При столкновении протона с другим протоном он может притянуться к ядру за счёт ядерных сил. Ядерные силы действуют на расстояниях порядка размеров самого ядра (т. е. 10 м). Для того чтобы приблизится к ядру на столь малое расстояние, протону необходимо преодолеть весьма значительную силу электростатического отталкивания. Ведь ядро тоже заряжено положительно.

Билет 20

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ВАКУУМЕ

создать эл. ток в вакууме можно, если использовать источник заряженных частиц.
Действие источника заряженных частиц может быть основано на явлении термоэлектронной эмиссии: это испускание электронов твердыми или жидкими телами при их нагревании до температур, соответствующих видимому свечению раскаленного металла.
Вакуумный диод

Вакуумный диод - это двухэлектродная (А- анод и К - катод) электронная лампа.
Внутри стеклянного баллона создается очень низкое давление.
Н - нить накала, помещенная внутрь катода для его нагревания. Поверхность нагретого катода испускает электроны. Если анод соединен с + источника тока, а катод с -, то в цепи протекает постоянный термоэлектронный ток. Вакуумный диод обладает односторонней проводимостью. Т.е. ток в аноде возможен, если потенциал анода выше потенциала катода. В этом случае электроны из электронного облака притягиваются к аноду, создавая эл.ток в вакууме.

Применение атомной энергии.

Применение ядерной энергии в современном мире оказывается настолько важным, что если бы мы завтра проснулись, а энергия ядерной реакции исчезла, мир, таким как мы его знаем, пожалуй, перестал бы существовать. Использование атомной энергии создает много проблем. В основном все эти проблемы связаны с тем, что используя себе на благо энергию связи атомного ядра, человек получает существенное зло в виде высокорадиоактивных отходов, которые нельзя просто выбросить. Отходы от атомных источников энергии требуется перерабатывать, перевозить, захоранивать, и хранить продолжительное время в безопасных условиях.

Плюсы и минусы, польза и вред от использования ядерной энергии

Рассмотрим плюсы и минусы применения атомной-ядерной энергии, их пользу, вред и значение в жизни Человечества. Очевидно, что атомная энергия сегодня нужна лишь промышленно развитым странам. То есть, основное применение мирная ядерная энергия находит в основном, на таких объектах, как заводы, перерабатывающие предприятия, и т.п. Именно энергоемкие производства, удаленные от источников дешевой электроэнергии (вроде гидроэлектростанций) задействуют ядерные станции для обеспечения и развития своих внутренних процессов.

Аграрные регионы и города не слишком нуждаются в атомной энергии. Ее вполне можно заместить тепловыми и другими станциями. Получается, что овладение, получение, развитие, производство и использование ядерной энергии по большей части направлено на удовлетворение наших потребностей в промышленной продукции. Посмотрим, что это за производства: автомобильная промышленность, военные производства, металлургия, химическая промышленность, нефтегазовый комплекс, и т.д.

Современный человек хочет ездить на новой машине? Хочет одеваться в модную синтетику, кушать синтетику и упаковывать все в синтетику? Хочет ярких товаров разных форм и размеров? Хочет все новых телефонов, телевизоров, компьютеров? Хочет много покупать, часто менять оборудование вокруг себя? Хочет вкусно питаться химической едой из цветных упаковок? Хочет жить спокойно? Хочет слышать сладкие речи с телеэкрана? Хочет, чтобы танков было много, а также ракет и крейсеров, а еще снарядов и пушек?
Хочет?
И он все это получает. Неважно, что в конце расхождение между словом и делом приводит к войне. Неважно, что для его утилизации также нужна энергия. Пока что человек спокоен. Он ест, пьет, ходит на работу, продает и покупает.

А для всего этого нужна энергия. А еще для этого нужно очень много нефти, газа, металла и т.п. И все эти промышленные процессы нуждаются в атомной энергии. Поэтому кто бы что ни говорил, до тех пор, пока не будет запущен в серию первый промышленный реактор термоядерного синтеза, атомная энергетика будет только развиваться.

В плюсы ядерной энергии мы можем смело записать все то, к чему мы привыкли. К минусам – печальную перспективу скорой смерти в коллапсе исчерпания ресурсов, проблемах ядерных отходов, росте численности населения и деградации пахотных площадей. Иначе говоря, атомная энергетика позволила человеку еще сильнее начать овладевать природой, насилуя ее сверх меры настолько, что он за несколько десятилетий преодолел порог воспроизводства основных ресурсов, запустив между 2000 и 2010 годами процесс схлопывания потребления. Этот процесс объективно уже не зависит от человека. Всем придется меньше есть, меньше жить и меньше радоваться окружающей природе. Здесь кроется еще один плюс-минус атомной энергии, который заключается в том, что страны, овладевшие атомом, смогут эффективнее перераспределять под себя скудеющие ресурсы тех, кто атомом не овладел. Более того, только развитие программы термоядерного синтеза позволит человечеству элементарно выжить. Теперь поясним на пальцах, что же это за «зверь» - атомная (ядерная) энергия и с чем ее едят.

Билет 21

1. Закон электролиза
1833г. - Фарадей

Закон электролиза определяет массу вещества, выделяемого на электроде при электролизе за время прохождения эл.тока.
k - электрохимический эквивалент вещества, численно равный массе вещества, выделившегося на электроде при прохождении через электролит заряда в 1 Кл.
Зная массу выделившегося вещества, можно определить заряд электрона.

2. Получение радиоактивных изотопов и их применение.
Из всех известных нам изотопов только изотопы водорода имеют собственные названия. Так, изотопы 2H и 3H носят названия дейтерия и трития и получили обозначения соответственно D и T (изотоп 1H называют иногда протием).
Применение изотопов одним из наиболее выдающихся исследований, проведенных с помощью «меченых атомов», явилось исследование обмена веществ в организмах. Было доказано, что за сравнительно небольшое время организм подвергается почти полному обновлению. Слагающие его атомы заменяются новыми. Лишь железо, как показали опыты по изотопному исследованию крови, является исключением из этого правила. Железо входит в состав гемоглобина красных кровяных шариков. При введении в пищу радиоактивных атомов железа было установлено, что свободный кислород, выделяемый при фотосинтезе, первоначально входил в состав воды, а не углекислого газа. Радиоактивные изотопы применяются в медицине, как для постановки диагноза, так и для терапевтических целей.

Билет 22

1.ПЛАЗМА – частично или полностью ионизованный газ, образованный из нейтральных атомов и заряженных частиц (ионов и электронов). Важнейшей особенностью плазмы является ее квазинейтральность, это означает, что объемные плотности положительных и отрицательных заряженных частиц, из которых она образована, оказываются почти одинаковыми. Газ переходит в состояние плазмы, если некоторые из составляющих его атомов по какой-либо причине лишились одного или нескольких электронов, т.е. превратились в положительные ионы. В некоторых случаях в плазме в результате «прилипания» электронов к нейтральным атомам могут возникать и отрицательные ионы. Плазма – четвертое состояние вещества, она подчиняется газовым законам и во многих отношениях ведет себя как газ. Сам термин «плазма» применительно к квазинейтральному ионизованному газу был введен американскими физиками Лэнгмюром и Тонксом в 1923 при описании явлений в газовом разряде. До той поры слово «плазма» использовалось лишь физиологами и обозначало бесцветный жидкий компонент крови, молока или живых тканей, однако вскоре понятие «плазма» прочно вошло в международный физический словарь, получив самое широкое распространение.

2. Биологическое действие радиоактивных излучений было установлено не сразу. Беккерель, открывший радиоактивность в 1896 году даже не подозревал о биологическом действии этого вида излучений. В 1898 году Мария Складовская – Кюри и Пьер Кюри открыли радий и Беккерель взял несколько миллиграмм в стеклянную пробирку для исследования, положив в нагрудный карман. Через некоторое время на теле напротив кармана образовалась болезненная незаживающая язва. Он был вынужден обратиться к врачу, язву залечили, но через некоторое время она открылась вновь.У всех ученых, работавших с радиоактивными элементами, руки были покрыты незаживающими язвами. Прежде чем было установлено биологическое действие проникающего излучения, наука понесла невосполнимые утраты. От лучевой болезни умирают Мария и Пьер Кюри, Ирен и Фредерик Кюри и В. Курчатов. На сегодняшний день наука установила достаточно фактов в этой области. Но до конца механизм воздействия проникающего излучения на клетку не установлен.Воздействие излучения на живые организмы характеризуется дозой излучения. Естественный фон радиации составляют за год 2*10 -3 Гр на человека (1 Гр=1Дж/кг). Доза излучения 3-10 Гр, полученная за короткое время смертельна.

Билет 23

1. Строение газообразных, жидких и твердых тел
Газы. В газах расстояние между атомами или молекулами в среднем во много раз больше размеров самих молекул. Например, при атмосферном давлении объем сосуда в десятки тысяч раз превышает объем находящихся в нем молекул. Газы легко сжимаются, при этом уменьшается среднее расстояние между молекулами, но форма молекулы не изменяется. Молекулы с огромными скоростями - сотни метров в секунду - движутся в пространстве. Сталкиваясь, они отскакивают друг от друга в разные стороны подобно бильярдным шарам. Слабые силы притяжения молекул газа не способны удержать их друг возле друга. Поэтому газы могут не ограниченно расширяться. Они не сохраняют ни формы, ни объема. Многочисленные удары молекул о стенки сосуда создают давление газа. Жидкости. Молекулы жидкости расположены почти вплотную друг к другу, поэтому молекула жидкости ведет себя иначе, чем молекула газа. В жидкостях существует так называемый ближний порядок, т. е. упорядоченное расположение молекул сохраняется на расстояниях, равных нескольким молекулярным диаметрам. Твердые тела. Атомы или молекулы твердых тел, в отличие от атомов и молекул жидкостей, колеблются около определенных положений равновесия. По этой причине твердые тела сохраняют не только объем, но и форму. Потенциальная энергия взаимодействия молекул твердого тела существенно больше их кинетической энергии.

2.Три этапа в развитии физики элементарных частиц
1 . От электрона до позитрона: 1897-1932гг. Когда греческий философ Демокрит назвал простейшие, нерасчленимые далее частицы атомами, то ему все представлялось в принципе не очень сложным. Но в конце XIX века было открыто сложное строение атомов и был выделен электрон как составная часть атома. Затем, уже в XX веке, были открыты протон и нейтрон - частицы, входящие в состав атомного ядра.
2 . От позитрона до кварков: 1932-1970гг (Все элементарные частицы превращаются друг в друга)
Всё оказалось намного сложнее: как выяснилось, неизменных частиц нет совсем. В самом слове элементарная частица заключается двоякий смысл. С одной стороны, элементарный простейший. С другой стороны, под элементарным понимается нечто фундаментальное, лежащее в основе вещей.
3 . От гипотезы о кварках (1964г) до наших дней. В 60-е годы возникли сомнения в том, что все частицы, называемые сейчас элементарными, полностью оправдывают это название. Открытие элементарной частицы всегда составляла и сейчас составляет выдающийся триумф науки. Триумфы стали следовать буквально друг за другом. Были открыта группа так называемых "странных" частиц: К-мезонов и гиперонов с массами, превышающими массу нуклонов. В 70-е годы к ним прибавилась большая группа "очарованных" частиц с еще большими массами. Кроме того, были открыты короткоживущие частицы с временем жизни порядка 10-22-10-23 с. Эти частицы были названы резонансами, и их число перевалило за двести. Вот тогда-то в 1964г М. Гелл-Манном и Дж. Цвейгом была предложена модель, согласно которой все частицы, участвующие в сильных взаимодействиях, построены из более фундаментальных частиц - кварков. В настоящее время в реальности кварков почти никто не сомневается, хотя в свободном состоянии они не обнаружены.

Билет 24

1.Газовые законы Изотермический процесс (закон Бойля Мариотто). Процесс изменения состояния системы макроскопических тел при постоянной температуре. Для поддержания температуры газа постоянной необходимо, чтобы он мог обмениваться теплотой с большой системой - термостатом. Иначе при сжатии или расширении температура газа будет меняться. Для газа данной массы при постоянной температуре произведение давления газа на его объем постоянно. Этот закон экспериментально был открыт (1627-1691). Закон Бойля - Мариотта справедлив обычно для любых газов, а также и для их смесей, например для воздуха.
Лишь при давлениях, в несколько сотен раз больших атмосферного, отклонения от этого закона становятся существенными. Зависимость давления газа от объема при постоянной температуре графически изображают кривой, которую называют изотермой.

Изобарный процесс. Процесс изменения состояния термодинамической системы при постоянном давлении называют изобарным.
Для газа данной массы при постоянном давлении отношение объема к температуре постоянно. Этот закон был установлен экспериментально в 1802 г. французским ученым Ж. Гей-Люссаком (1778-1850). Эта зависимость графически изображается прямой, которая называется изобарой, разным давлениям соответствуют разные изобары. С ростом давления объем газа при постоянной температуре согласно закону Бойля - Мариотта уменьшается. Поэтому изобара, соответствующая более высокому давлению p 2 , лежит ниже изобары, соответствующей более низкому давлению p 1 .
Изохорный процесс. Процесс изменения состояния термодинамической системы при постоянном объеме называют изохорным. Для газа данной массы отношение давления к температуре постоянно, если объем не меняется. Этот газовый закон был установлен в 1787 г. французским физиком Ж.Шарлем (1746-1823) и носит название закона Шарля. Эта зависимость изображается прямой, называемой изохорой. Разным объемам соответствуют разные изохоры. С ростом объема газа при постоянной температуре давление его согласно закону Бойля - Мариотта падает. Поэтому изохора, соответствующая большему объему V 2 , лежит ниже изохоры, соответствующей меньшему объему V 1 .

ОТКРЫТИЕ ПОЗИТРОНА. АНТИЧАСТИЦЫ

Существование двойника электрона - позитрона - было предсказано теоретически английским физиком П. Дираком в 1931 г. Одновременно он предсказал, что при встрече позитрона с электроном обе частицы должны исчезнуть, породив фотоны большой энергии. Может протекать и обратный процесс - рождение электронно-позитронной пары, например: при столкновении фотона достаточно большой энергии с ядром. Спустя два года позитрон был обнаружен с помощью камеры Вильсона, помещенной в магнитное поле. Направление искривления трека частицы указывало знак ее заряда. По радиусу кривизны и энергии частицы было определено отношение ее заряда к массе. Оно оказалось по модулю таким же, как и у электрона. В свое время открытие рождения и аннигиляции электронно-позитронных пар вызвало настоящую сенсацию в науке. До того никто не предполагал, что электрон, старейшая из частиц, важнейший строительный материал атомов, может оказаться не вечным. Впоследствии двойники - античастицы - были найдены у всех частиц. Античастицы противопоставляются частицам именно потому, что при встрече любой частицы с соответствующей античастицей происходит их аннигиляция. Обе частицы исчезают, превращаясь в кванты излучения или другие частицы. Сравнительно недавно обнаружены: антипротон и антинейтрон. Электрический заряд антипротона отрицателен. Атомы, ядра которых состоят из антинуклонов, а оболочка - из позитронов, образуют антивещество. В 1969 г. в нашей стране был впервые получен антигелий.

Билет 25

1.Математическая запись универсального газового закона проста:

pV = nRT. Она содержит основные характеристики поведения газов: p, V и T - соответственно давление, объем и абсолютная температура газа, R - универсальная газовая постоянная, общая для всех газов, а n - число, пропорциональное числу молекул или атомов газа. Этот закон представляет собой то, что в физике принято называть уравнением состояния вещества, поскольку он описывает характер изменения свойств вещества при изменении внешних условий. Строго говоря, этот закон в точности выполняется только для идеального газа. Эта формула была получена в 1874 году Д. И. Менделеевым путем объединения закона Авогадро и общего газового закона (pV/T = const), сформулированного в 1834 году Б. П. Э. Клапейроном. Поэтому этот закон принято называть законом Менделеева-Клапейрона. По существу, этот закон позволил ввести все ранее сделанные эмпирические заключения о характере поведения газов в рамки новой молекулярно-кинетической теории.

План – конспект

урока по физике

Тема урока: Электрический ток через контакт полупроводников р и n типа.

Полупроводниковый диод.

Тема урока . Электрический ток через контакт

полупроводников p и n типов.

Полупроводниковый диод.

Цель урока : объяснить механизм прохождения электрического тока через контакт полупроводников р и n типов, рассмотреть прямой и обратный переход, изучить устройство и принцип действия полупроводникового диода, повторить ранее изученный материал используя опорные конспекты и ТСО.

Задачи урока:

Образовательные - создать условия для усвоения нового учебного материала, используя проблемное обучение;

Ввести понятия прямой и обратный переход, полупроводниковый диод;

Развивающие – развивать творческую и мыслительную деятельность учащихся на уроке с помощью решения задач исследовательского характера, интеллектуальные качества личности школьника такие, как самостоятельность, способность к оценочным действиям, обобщению, быстрому переключению; способствовать формированию навыков самостоятельной работы; формировать умения чётко и ясно излагать свои мысли.

Воспитательные - прививать культуру умственного труда, прививать учащимся интерес к предмету с помощью применения информационных технологий(с использованием компьютера); формировать умения аккуратно и грамотно выполнять математические записи.

Оборудование : опорные конспекты, набор полупроводниковых

диодов, компьютеры с программой

«Открытая физика».

Этапы урока

Время,

мин

Приемы и методы

1.Повторение ранее изученного материала

2. Изучение нового материала: электрический ток через контакт полупроводников

р и n типа. Полупроводниковый диод.

3. Формирование умений и навыков.

4. Первичная проверка усвоения знаний. Рефлексия.

5.Пвторение материала.

5. Подведение итогов.

6.Домашнее задание.

Беседа. Опрос по опорным конспектам.

Рассказ учителя. Беседа. Опорные конспекты. Показ пошаговой анимации.

Ответы на вопросы учащихся.

Опрос по опорным конспектам.

Программа «Открытая физика»

Сообщение учителя.

Запись на доске.

План урока

Ход и содержание урока.

Вводное слово учителя.

Проверка усвоения изученного материала.

1. Обзор темы « Законы постоянного тока » -- опорный конспект.

   Электрический ток в полупроводниках.

2.2.1 Строение полупроводников.

2.2.2 Электронная проводимость.

2.2.3 Дырочнач проводимость.

2.2.4 Примесная проводимость.

2.2.5 Донорные примеси.

2.2.6 Акцепторные примеси.

Опрос учащихся проводится с использованием опорных конспектов.

2.2.7 Физический диктант.

1. Что называется собственной проводимостью полупроводников?

2. При каких условиях чистые полупроводники становятся электропроводными?

3. Как зависит проводимость полупроводников от температуры?

4. Какую проводимость полупроводников называют электронной?

5. Как в чистом полупроводнике возникают "дырки"?

6. Какова природа тока в полупроводнике?

7. Как влияет на проводимость полупроводников наличие в них примесей?

8. При каком условии в примесном полупроводнике возникает электронная проводимость?

9. При каком условии в примесном полупроводнике возникает дырочная проводимость?

10. Как называются полупроводники, у которых основными носителями заряда являются электроны?

11. Как называются полупроводники, у которых основными носителями заряда являются дырки?

Изучение нового материала .

3.1Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов (по опорному конспекту)

3.1.1 Электрические свойства "p-n" переходов.

"p-n" переход (или электронно-дырочный переход) - область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот).
В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области. В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой.Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.

Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя.
При прямом (пропускном) направлении внешнего эл.поля эл.ток проходит через границу двух полупроводников.
Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела.Электроны, переходя границу заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.

При запирающем (обратном направлении внешнего эл.поля эл.ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет.
Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны.. Запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.

3.2 Полупроводниковый диод (опорный конспект).

Полупроводник с одним "p - n" переходом называется полупроводниковым диодом.

При наложении эл. поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико,
в обратном - сопротивление мало.


Полупроводниковые диоды основные элементы выпрямителей переменного тока.

3.3 Область применения полупроводниковых диодов .

Объяснение материала сопровождается демонстрацией полупроводниковых диодов. Слайд презентации.

....................

Закрепление материала.

Опорные конспекты.

Компьютеры – программа «Открытая физика».

Задание на дом : $73,74.

Подведение итогов.